Umumé, angel ngindhari sawetara kegagalan ing pangembangan, produksi lan panggunaan piranti semikonduktor. Kanthi nambah syarat kualitas produk, analisis kegagalan dadi luwih penting. Miturut nganalisa Kripik Gagal tartamtu, Bisa bantuan desainer sirkuit nemokake cacat desain piranti, ing mismatch paramèter proses, desain khayal saka sirkuit peripheral utawa misoperation disebabake masalah. Keperluan analisis kegagalan piranti semikonduktor utamane diwujudake ing aspek ing ngisor iki:
(1) Analisis kegagalan minangka sarana sing perlu kanggo nemtokake mekanisme kegagalan chip piranti;
(2) Analisis kegagalan nyedhiyakake basis lan informasi sing perlu kanggo diagnosa kesalahan sing efektif;
(3) Analisis Gagal nyedhiyakake informasi umpan balik sing dibutuhake kanggo insinyur desain supaya terus nambah utawa ndandani desain chip lan nggawe luwih wajar miturut spesifikasi desain;
(4) Analisis kegagalan bisa nyedhiyakake tambahan sing dibutuhake kanggo tes produksi lan nyedhiyakake basis informasi sing dibutuhake kanggo ngoptimalake proses tes verifikasi.
Kanggo analisis kegagalan dioda semikonduktor, audion utawa sirkuit terpadu, paramèter listrik kudu dites dhisik, lan sawise inspeksi katon ing mikroskop optik, kemasan kasebut kudu dicopot. Nalika njaga integritas fungsi chip, ndadékaké internal lan eksternal, titik ikatan lan permukaan chip kudu katahan sabisa, supaya bisa nyiapake langkah analisis sabanjure.
Nggunakake mikroskop elektron scanning lan spektrum energi kanggo nindakake analisis iki: kalebu pengamatan morfologi mikroskopik, panelusuran titik kegagalan, pengamatan titik cacat lan lokasi, pangukuran akurat saka ukuran geometri mikroskopis piranti lan distribusi potensial lumahing atos lan pangadilan logika gerbang digital. sirkuit (kanthi metode gambar kontras voltase); Gunakake spektrometer energi utawa spektrometer kanggo nindakake analisis iki nduweni: analisis komposisi unsur mikroskopik, struktur materi utawa analisis polutan.
01. Cacat lumahing lan kobong piranti semikonduktor
Cacat lumahing lan kobong-metu saka piranti semikonduktor loro mode Gagal umum, minangka ditampilake ing Figure 1, kang cacat saka lapisan diresiki saka sirkuit terpadu.
Figure 2 nuduhake cacat lumahing lapisan metallized saka sirkuit terpadu.
Figure 3 nuduhake saluran risak antarane loro ngudani logam saka sirkuit terpadu.
Figure 4 nuduhake ambruk Strip logam lan deformasi skew ing kreteg online ing piranti gelombang mikro.
Gambar 5 nuduhake burnout kothak saka tabung gelombang mikro.
Figure 6 nuduhake karusakan mechanical kanggo kabel metallized electrical terpadu.
Gambar 7 nuduhake bukaan lan cacat chip dioda mesa.
Figure 8 nuduhake risak saka dioda protèktif ing input saka sirkuit terpadu.
Figure 9 nuduhake yen lumahing chip sirkuit terpadu rusak dening impact mechanical.
Figure 10 nuduhake burnout parsial saka chip sirkuit terpadu.
Figure 11 nuduhake chip diode iki bejat mudhun lan nemen burned, lan TCTerms risak nguripake menyang negara leleh.
Figure 12 nuduhake chip tabung daya gelombang mikro gallium nitride obaran, lan titik obaran presents negara sputtering molten.
02. Elektrostatik risak
Piranti semikonduktor saka manufaktur, kemasan, transportasi nganti ing papan sirkuit kanggo selipan, welding, perakitan mesin lan proses liyane ana ing ancaman listrik statis. Ing proses iki, transportasi rusak amarga gerakan sing kerep lan gampang kena listrik statis sing diasilake dening jagad njaba. Mulane, perhatian khusus kudu dibayar kanggo proteksi elektrostatik sajrone transmisi lan transportasi kanggo nyuda kerugian.
Ing piranti semikonduktor karo tabung MOS unipolar lan sirkuit terpadu MOS utamané sensitif listrik statis, utamané tabung MOS, amarga saka resistance input dhewe dhuwur banget, lan kapasitansi elektroda gapura-sumber cilik banget, supaya gampang banget. kena pengaruh medan elektromagnetik njaba utawa induksi elektrostatik lan diisi daya, lan amarga generasi elektrostatik, iku angel discharge daya ing wektu, Mulane, iku gampang kanggo nimbulaké akumulasi listrik statis kanggo risak cepet saka piranti. Ing wangun risak elektrostatik utamané electrical risak akale, sing, lapisan oksida lancip saka kothak wis bejat mudhun, mbentuk pinhole, kang short longkangan antarane kothak lan sumber utawa antarane kothak lan saluran.
Lan relatif kanggo MOS tabung MOS sirkuit terpadu kemampuan risak antistatic punika relatif rada luwih apik, amarga terminal input MOS sirkuit terpadu dilengkapi karo dioda protèktif. Sawise ana voltase elektrostatik gedhe utawa voltase mundhak menyang paling saka dioda protèktif bisa ngalih menyang lemah, nanging yen voltase dhuwur banget utawa saiki amplifikasi cepet banget gedhe, kadhangkala diode protèktif bakal dhewe, minangka ditampilake ing Figure 8.
Sawetara gambar sing ditampilake ing gambar 13 yaiku topografi rusake elektrostatik sirkuit terpadu MOS. Titik risak cilik lan jero, nuduhake negara sputtering molten.
Figure 14 nuduhake katon risak elektrostatik saka sirah Magnetik hard disk komputer.
Wektu kirim: Jul-08-2023
